什么是IGBT？IGBT(绝缘栅双极)

什么是IGBT(绝缘栅双极)？

IGBT是　"Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极。
IGBT被归类为功率元器件领域。

功率元器件的特点

除了IGBT外，功率元器件（领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作开关。
根据其分别可支持的开关速度，BIPOLAR适用于中速开关，MOSFET则适用于高频领域。
IGBT是输入部为MOSFET结构、输出部为BIPOLAR结构的元器件，通过这两者的复合化，既是使用电子与空穴两种载体的双极元件，同时也是兼顾低饱和电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的。
尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。

【功率元器件的基本结构与特点】

	MOSFET	BIPOLAR	IGBT
基本结构
控制	栅极电压	基极电流	栅极电压
容许电流	✕	△	○
开关	○	✕	△
导通电阻	✕	△	○

MOSFET

是指元件的结构为Metal（金属）- Oxide（氧化物）- Semiconductor（）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应）。

BIPOLAR

是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型。