薄膜压电MEMS代工

世界杯冠军竞猜集团以丰富的制造技术经验为客户提供支持

世界杯冠军竞猜着眼于铁电的多种技术革新,多年来不断地进行开发研究。 世界杯冠军竞猜的薄膜压电MEMS代工,通过使用凝聚了其技术和异种材料管理系统经验、具备高可靠性和稳定性的先进生产装置,实现薄膜压电和LSI微细加工技术的高度融合。 通过与客户共同开发,我们承诺为您实现“前所未见”“超越经验”“超乎想象”的节能、小型、高性能的产品。

  • ・提供从试制、开发到量产的全程支持
  • ・作为客户的战略伙伴,从工艺、制造方面为产品提供支持
  • ・运用高性能、高可靠性薄膜压电技术,实现更高等级的产品

开发、制造网点:LAPIS Semiconductor Miyagi Co.,ltd.

LAPIS Semiconductor Miyagi Co.,ltd.

地址 日本宫崎县宫崎市清武町
无尘室 压电MEMS专用部分 1,360m2   (M2 fab整体为 6,000m2 )
清洁度 Class 1-1,000
晶圆直径 6英寸
提供服务 开发样品试制、量产
ISO等 ISO9001, ISO14001
开发/量产经验 执行机构、传感器
工艺技术 PZT压电薄膜、块体/表面MEMS、可进行双面Si加工、晶圆键合

从客户咨询到量产的流程

从客户咨询到量产的流程

※上述流程是常规示例,实际流程根据项目协商确定。

对于相关的咨询、委托、要求,请通过以下方式填写咨询页的表格,随时进行咨询。

关于产品和登载内容的咨询

自有设备

工艺分类 设备
光刻 涂布、显影
MPA (Mirror Projection Aligner)
双面对准曝光机
i线步进光刻机
层压 各种层压机(UV胶带、热剥离片、聚酰亚胺等)
成膜 Sol-gel(PZT类)
PE-CVD(SiO2, SiN)
LP-CVD(SiO2, SiN, poly-Si)
热氧化炉
溅射(Al类、Au、Ti、TiN、TiW、Pt、Ir等)
ALD(Atomic Layer Deposition) (Al2O3, SiO2, Ta2O5)
疏水涂层成膜
干法蚀刻 Si深度蚀刻
层间膜RIE装置
PZT、电极用ICP蚀刻机
湿法蚀刻 氧化硅膜蚀刻
Au蚀刻
Si各向异性蚀刻
剥离、清洗 去胶机
有机物、聚合物剥离
酸洗
洗涤器
晶圆键合 树脂键合
阳极键合
单片化等 划片、双流体清洗
晶圆划片机
测量相关 SEM分析、SEM测长
光学式测长装置
正反错位测量装置
可视光、IR、激光显微镜
X射线衍射装置
激光式位移测量装置
荧光X射线分析装置
触针式步距规、光学式干涉步距规
椭圆偏振仪
外观检查装置
各种电气特性评估装置(探针台、测试仪)

工艺能力

工序 工艺规格 备注
光刻 最小线宽:1μm(使用步进光刻机)
最小线宽:3μm(使用对准曝光机)
 
Si深度蚀刻 锥角: 90±1度
蚀刻速率面内均一性: 5%以内
尺寸精度; ±0.1μm
(均取决于图案)
可进行电路板贯通加工
可进行正反两面加工
(无凹槽)
可进行锥角控制
TMAH蚀刻 相对于深度,面内5%以内 可进行电路板贯通加工
可进行正反两面加工
PZT成膜 膜厚精度: 晶圆内 ±1.0%
晶圆、批次间 ±2.5%
掺杂示例(Nb、La)
PZT蚀刻 加工线宽精度: ±1μm
蚀刻速率面内均一性: 5%以内
(PZT厚度~3μm、有圆锥形状)
Pt扩散阻挡层
溅射 膜厚均一性: 面内4%以内 AlCu, Au, Ti, TiN, TiW,
Pt, Ir
CVD 膜厚均一性: 面内4%以内 SiO2, SiN
ALD 膜厚均一性: 面内5%以内 Al2O3, Ta2O5, SiO2
树脂键合 对准精度: ±5μm
树脂厚度: 1~3μm
环氧树脂、BCB
阳极键合 封装内部压力: >0.01Pa Si/玻璃

试制业绩示例

  • 喷墨执行机构
  • 喷墨流路、喷嘴
  • MEMS振镜
  • MEMS麦克风
  • 压电MEMS扬声器
  • 微泵
  • RF元件
  • 热释电传感器
  • 超声波传感器
  • 加速度传感器
  • 角速度传感器
  • 气压传感器

工艺技术示例

PZT薄膜的性能

世界杯冠军竞猜于1998年在成功量产铁电存储器,在将PZT薄膜应用于Si晶圆工艺方面拥有长年积累的经验和技术诀窍。
世界杯冠军竞猜提供的溶胶凝胶PZT膜使用独立开发的生产设备成膜,具有高水平的压电性能和可靠性。

2㎛宽 PZT电容器图案
项目 条件
压电常数: e31,f (-C/N) 19 10V/μm
逆压电常数: d31 (-pm/V) 260 10V/μm
绝缘耐压: (V/μm) >75 室温,
(评估电源限制)
绝缘寿命:(年) >10 20V/μm, 105℃,
(加速试验推测)
重复寿命:(次) >1x1010 10V/μm,位移减少10%
(单极脉冲)
漏电流密度: (A/cm2) <1x10-7 20V/μm

Si深度蚀刻

世界杯冠军竞猜拥有多家公司的Si深度蚀刻装置,其中也包括独立开发的装置,可根据产品提供适合的Si蚀刻工艺(形状、公差、异物等级、成本)。

Si深度蚀刻

也可进行圆锥形状的蚀刻。

锥孔/倒锥孔(剖面)

薄晶圆处理技术

世界杯冠军竞猜通过独立开发晶圆运输送备等,实现了薄Si晶圆的工艺和晶圆键合。

薄晶圆处理技术

Q&A

Q.适用的晶圆尺寸、标准是什么?
A.6英寸JEITA标准(定位边长度为47.5mm)。
Q.可以对SOI晶圆进行加工吗?
A.可以。
Q.PZT可以通过溅射成膜吗?
A.目前尚不支持溅射成膜。
Q.PZT可以使用指定的Sol-gel液成膜吗?
A.需要咨询。
Q.可以实现的PZT膜厚范围有多大?
A.200nm~5μm的范围内均可实现,但考虑到成本,建议将2μm厚度作为标准。
Q.出厂前可以进行哪些检查?
A.可以进行电气特性评估(容量、滞后、泄漏、电阻值等),以及外观检查(有自动设备)等。
Q.可以只委托进行试制吗?
A.原则上优先承接可以量产的项目。
Q.可以单独提供特定工序的加工吗?
A.因为是以量产为目标,原则上不单独承接部分工序,具体情况以咨询结果为准。
Q.可否制作掩膜?
A.可以制作掩膜。
Q.制作掩膜采用什么数据格式?
A.请以GDS格式提供。
Q.需要NDA和开发合同吗?
A.进行到相应的开发步骤时需要。
Q.进行委托时可以参观工厂吗?
A.可以。将根据委托内容按需实施。
Q.可以承接自有设备无法进行的处理吗?
A.也可以使用部分外协和异地的装置。