评估板可轻松评估的 SiC肖特基势垒、SiC MOSFET、“全SiC”功率模块（集成了SiC SBD和MOSFET）以及高耐热功率模块等系列产品。
这些小型、高效的器件能够显著减小最终产品的尺寸，与评估板配合使用还可以帮助客户进行原型应用程序和初始开发。
评估板产品阵容
| Category | SiC Product | Image | Part No. | Maker | 产品详情 | User Guide | 参考板获取 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SiC-MOS | Evaluation Board | SCT3XXX series Trench(3G) TO-247 3L/4L |  |
NEW P02SCT3040KR-EVK-001 | 详情 | 从网售平台购买 | ||
| SCT2XXX series Planar(2G) TO-247 3L |  |
P01SCT2080KE-EVK-001 | 详情 | 咨询 | ||||
| SiC Module | Drive board | BSM series Planar (2G)(1200V, E / G type) |  |
NEW BSMGD2G12D24-EVK001 |
- | 咨询 | ||
| BSM series Trench(3G) (1200V,E/G type) | NEW BSMGD3G12D24-EVK001 |
- | 咨询 | |||||
| BSM series (1200V,C type) | NEW BSMGD3C12D24-EVK001 |
- | 咨询 | |||||
| BSM series (1200V, C / E / G type) |  |
2DU series | TAMURA | |||||
| BSM series (1200V,E/G type) |  |
Core Driver : 2ASC-12A1HP Adapter Board : EDCA1 |
AgileSwitch | |||||
| BSM series (1200V,C type) | Core Driver : 2ASC-12A1HP Adapter Board : EDCA2 |
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| Snubber Module | BSM series (1200V, C type) |  |
EVSM1D72J2-145MH26 | - | 咨询 | |||
| BSM series (1200V, E / G type) | EVSM1D72J2-145MH16 | - | ||||||
| BSM250 (1700V, E type) | EVSM1D72J3-934MH93 | - | ||||||
| AC/DC | Evaluation Board | SCT2H12NZ |  |
BD7682FJ-LB-EVK-402 | 详情 | 从网售平台购买 | ||
评估板详情
P02SCT3040KR-EVK-001
- SCT3040KR（1200V 40mΩ TO-247-4L）评估用
通过改变电路乘数器，可用来评估其他 SiC－MOSFET - 除TO-247-4L外，还有TO-247-3L的通孔，可在同一评估板上进行对比评估
- 单一电源（+12V工作）
- 可进行最大150A的双脉冲测试，最大开关工作频率500kHz
- 支持各种电源拓扑（Buck, Boost, Half-Bridge）
- 内置栅极驱动用隔离电源，可通过可变电阻调整（+12V～+23V）
- 可通过跳线引脚来切换栅极驱动用负偏压和零偏压
- 可防止上下臂同时导通，内置过电流保护功能（DESAT, OCP）
评估板和样品购买
[新产品] 4引脚封装SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”
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开发出6款沟槽栅结构SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品（650V／1200V耐压），非常适用于要求高效率的服务器用电源，太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。
此次新开发的系列产品，采用4引脚封装（TO-247-4L），可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装（TO-247N）相比，开关损耗可降低约35％，非常有助于进一步降低各种设备的功耗。 -
P01SCT2080KE-EVK-001
- 针对的 SCT2080KE SiC平面型MOSFET（1200V/80mΩ）评估精心打造
通过更改电路设置可支持其他MOSFET产品 - 在1200V/5A（如果产品搭载内置电感）、100kHz条件下评估MOSFET和IGBT
- 由单系统DC12V提供上下各桥臂的正/负偏置电压
- 在内部生成双脉冲试验用栅极信号
- 可通过外部供电信号实现DCDC转换器评估
- 续流采用MOS体或外置，可选择逆向导通
- ※内置电感时
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PathWave ADS Workspace for P01SCT2080KE-EVK-001
我们提供可以对应PathWave Advanced Design System（ADS）@Keysight的仿真套件。 您可以在试产前使用它进行验证。
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1700V SiC-MOSFET + AC/DC转换器 评估板
该评估板集成了用于SiC驱动和 1700V SiC MOSFET的 AC/DC转换器控制IC，能够与大功率工业设备中的辅助电源配合使用。
BD7682FJ-LB-EVK-402
- SiC-MOSFET驱动，ACDC评估板（反激式转换器）
- 搭载1700V SiC-MOSFET SCT2H12NZZ
- 搭载AC/DC转换器控制IC BD7682FJ-LB
- 三相AC400～690V输入 24V/1A输出
文档
- 栅源电压测定时的注意点
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- 通过驱动源极端子改善开关损耗
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- 缓冲电路的设计方法
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- 桥式电路相关的Gate-Source电圧的动作
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- 栅极-源极电压的浪涌抑制方法
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